일반적인 사진 인화의 원리와 동일한데 PR(Photo resist)이란 특정 파장대의 빛은 받으면(노광: photo exposure)반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)을 pattern을 올리고자 하는 Wafer의 표면에 Spin coating 공정으로 올려놓고 그 위에 Pattern이 새겨진 Mask를 올린다. 다시 그 위에 특정 파장대의 빛(일반적으로 UV)을 쬐어주면 PR이 Pattern Mask의 뚫린 부분만을 통과하여 감광 시키게 되는 원리이다. 

 

1. Stage

  - Substrate size : Up to 8" round

  - Chuck : 150 x 150 square

  - Movement : X ± 13 mm, Y ± 13 mm, Z 5 mm, Theta 5 degrees

  - Alignment accuracy : 1 um

  - Mechanical resolution : 0.1 um

  - Leveling Z-motion motorizing & air pressure sensor

  - Vibration protection mounted on anti-vibration table

 

2. Mask Holder

  - Mask holding type : Vacuum * clip

  - Proximity gap : Gap ball type for negative PR

  - Gap control : 1 um

  - Gap ball : 2 mm sapphire ball

  - Mask holder : 7"x 7" mask holder

 

3. UV Source

  - UV lamp : 500 W or 1 kW, Fixed light source(70 ~ 100%)

  - Uniform beam size : 8.25" X 8.25" T

  - Exposure mode : Pressure / Vacuum / Proximity

  - Exposure time control programmable

  - Exposure timer : 1 ~ 3,500 sec

 

4. Microscope

  - Type : Dual scope & CCD camera

  - Monitor : 17" LCD monitor

  - Video mode : Single and split field

  - Magnification : 35x ~ 400x

  - Objective spacing : 50 mm ~ 200 mm

  - Zoom6000 : 0.7x ~ 4.5x

  - CCD Camera : 1/3" CCD

 

5. Control System

  - Controller : PLC & PC controller

  - Software : MDA visual software