Glass 기판 혹은 silicon wafer 등의 thin film 위에 코팅/노광된 photo resist를 spray-puddle 방식으로 현상액을 이용하여 UV와 반응한 노광영역과 노광되지 않은 영역을 선택적으로 제거하고 rinse하는 장비
현상액 및 세척제를 이용하여 etching 되어야 할 부분에 존재하는 감광막을 제거하는 공정이다 자외선 에너지를 흡수하여 화학변화를 한 PR을 화학적으로 에칭하는 과정이다.
1. Work Size: 6"*6"
2. 방식: 현상액(Develop) Spray 처리방식
3. Work 고정방식: 진공흡착방식
4. 건조 Air Knife Module 설치: Slit식 air Knife로 건조
5. 순환 Pump: Magnetic형 seal less pump
6. Sparay Nozzle: lkeuchi 1/4MVP9010 PVDF
7. Spray Pressure: Max 0.08 MPa
8. Filter: 현상액용 5.0um (제거율 99.99%)
9. 현상액 Tank 용량: 단독순환 tank 30L